|
|
|
روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک
این مقاله یک روش مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک را اریه می دهد. هدف اصلی در اینجا، پیدا کردن پارامترهای معادلات غیرخطی I-V، با تنظیم منحنی در سه نقطه، می باشد: مدار-باز، ماکزیمم توان، اتصال کوتاه. با داشتن این سه نقطه _که توسط همه دیتاشیت های آرایه های تجاری اراایه می شوند_ مدل ارایه شده، بهترین معادلات I-V را برای مدل فتوولتاییک تک-دیود (PV)، شامل اثر مقاومت های سری و موازی، می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه ی واقعی، مطابق باشد. با داشتن پارامترهای معادلات تنظیم شده I-V، می توان یک مدل مداری PV را با یک شبیه ساز مداری _با استفاده از بلوک های ساده ریاضی_ ساخت. روش مدل کردن و مدل مداری ارایه شده، برای طراحان الکترونیک قدرتی که به یک روش مدل سازی ساده، سریع، دقیق، و آسان برای بکاربری در شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، سودمند می باشد. در صفحات نخست، خواننده با وسایل PV آشنا می شود و پارامترهایی را که مربوط به مدل PV تک-دیود می شوند را درمی یابد.سپس روش مدل سازی معرفی شده و بصورت دقیق ارایه می شود. این مدل برای اطلاعات تجربی آرایه های PV تجاری، معتبر می باشد.
اصطلاحات مربوطه__ آرایه، مدار، معادل، مدل، مدل سازی، فتوولتاییک (PV)، شبیه سازی
:: برچسب‌ها:
شبیه سازی ,
PV ,
فتوولتاییک ,
مدل سازی ,
مدل ,
معادل ,
مدار ,
آرایه ,
Comprehensive Approach ,
Modeling ,
Simulation ,
Photovoltaic Arrays ,
مقاله انگلیسی برق ,
مقاله انگلیسی برق و الکترونیک ,
مقاله انگلیسی برق با ترجمه ,
مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
:: بازدید از این مطلب : 176
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : دو شنبه 23 شهريور 1395 |
نظرات ()
|
|
|
|
|
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
